Νέα μνήμη υψηλού εύρους ζώνης 2E 3ης Γενιάς από την Samsung

KANENA ΣΧΟΛΙΟ
Mobile

Η Samsung Electronics ανακοίνωσε την κυκλοφορία της μνήμης υψηλού εύρους ζώνης 2E (HBM2E) 3ης Γενιάς, «Flashbolt» η οποία συγκεντρώνει οκτώ επιστρώσεις από 16Gbit DRAM για την επίτευξη χωρητικότητας 16GB εξασφαλίζοντας σταθερή ταχύτητα μεταφοράς δεδομένων στα 3.2Gbps.

Top

Show Buttons
Hide Buttons